智通财经APP获悉，中信建投发布研报称，AI供电方案的根本驱动力是单芯片和单机柜功率的不断提升，目前以英伟达(NVDA.US)为首的AI芯片厂商不断迭代升级其最新AI芯片的功率。通过NVL72(英伟达)、Superpod(谷歌)等多芯片设计，单机柜功率进一步向MW级迈进。至2028年北美新增AI数据中心功率可达71GW。根据产业趋势优先，兼顾弹性和公司α，AIDC电源主机、电站级储能、核心增量零部件以及GaN、SiC等第三代半导体四大方向值得关注。
中信建投主要观点如下：
AI供电方案的根本驱动力是单芯片和单机柜功率的不断提升
以英伟达为首的AI芯片厂商不断迭代升级其最新AI芯片的功率。英伟达已从Maxwell时代单颗芯片250W提升至B200芯片的超过1000W；谷歌、微软、Meta等自研芯片也向单颗1000W以上迈进。通过NVL72(英伟达)、Superpod(谷歌)等多芯片设计，单机柜功率进一步向MW级迈进。至2028年北美新增AI数据中心功率可达71GW。
大功率化、高压化、直流化是AIDC电源迭代的主要方向
英伟达发布的800V供电白皮书给出了交流→800V直流(低压整流器过渡)→800V直流(HVDC sidecar方案)→SST(固态变压器)的清晰迭代路径。同时OCP组织通过多批标准的迭代也确立了±400V的供电标准。但两者目的均是通过直流供电实现MW级机柜功率，也认可SST作为终极的供电方案。
展开剩余58%从无到有，从小到大：供电方案迭代带来了哪些变化和增长？
从产品形态来看，集成多种设备和功能的HVDC Sidecar、SST主机能够实现一步降压、交直转换、备电和电能质量改善等多种功能。而其研发的关键难点在其中的功率变换模块(PSU)、高频隔离变压器等；从技术基础来看，第三代宽禁带半导体如SiC、GaN是电源能够实现高电压、高效率、高变比输出的关键，同时电路拓扑的设计对公司研发实力要求高。
从增量环节来看，采用高压直流供电后需增设机柜内固态断路器、DC/DC电源、电子熔断器、垂直供电VPD等环节，同时为了保证供电可靠性和电能质量CBU、BBU也成为必须。而储能则成为解决美国电力缺口和数据中心并网危机的最主要选择。
投资建议：产业趋势优先，兼顾弹性和公司α，以下四大方向值得关注
(1)AIDC电源主机(PSU、HVDC、SST)：阳光电源(300274.SZ)、麦格米特(002851.SZ)、欧陆通(300870.SZ)、金盘科技(688676.SH)、思源电气(002028.SZ)、伊戈尔(002922.SZ)、科士达(002518.SZ)、科华数据(002335.SZ)、中恒电气(002364.SZ)、新风光等(688663.SH)；(2)电站级储能：阳光电源、CSIQ(CSIQ.US)、Fluence Energy(FLNC.US)等。
(3)核心增量零部件(固态断路器、电子熔断器、CBU/BBU、DC/DC、高频隔离变、VPD等)：良信股份(002706.SZ)、蔚蓝锂芯(002245.SZ)、Vicor Corporation(VICR.US)等；(4)GaN、SiC等第三代半导体。
结合公司α、业务弹性和进展，推荐阳光电源、麦格米特、欧陆通、良信股份、金盘科技等。
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